Название
| Разработка технологии создания солнечных элементов на основе полупроводниковых наноструктур в матрице пористого Al2O3
|
---|
Авторы
|
|
---|
Ключевые слова
| пористый оксид алюминия, полупроводниковые наноструктуры, солнечные элементы
|
---|
Секции
| Современные материалы и технологии их создания
|
---|
Аннотация
| В работе представлен новый подход к формированию солнечных элементов. В качестве активного слоя предлагается использовать упорядоченный массив наноструктур ZnS/Ge, представляющих собой плавные гетероструктуры, в которых наблюдается очень большой перепад в значении запрещенной зоны и высокая подвижность носителей заряда, что делает их перспективными кандидатами для солнечных элементов. Формирование наногетероструктур происходит при термическом осаждении слоев сульфида цинка и германия на подложку пористого оксида алюминия. Наноструктуры повторяют расположение пор оксида, которые благодаря процессам самоорганизации располагаются в строгом гексагональном порядке. Параметры пор матрицы контролируемо меняются в широких пределах в зависимости от режимов синтеза, что дает большие возможности для формирования геометрии наноструктур. Данным методом были получены нанокольца, наностержни и нанонити. В связи с значительной заинтересованностью развития новых технологий в области солнечной энергетики, данная работа является актуальной и перспективной.
|
---|
Текст доклада
|
|
---|